KAOHSIUNG, Nov. 3, 2023 — Siliziumkarbid (SiC) ist für Halbleiter von entscheidender Bedeutung, wobei E&R Technology sich dafür einsetzt, die Prozessausbeuten durch wichtige SiC-Integrationslösungen zu steigern. SiC übertrifft Silizium mit Hitzebeständigkeit, überlegener Spannungstoleranz, leistungsstarken Fähigkeiten und minimalen Verlusten und eignet sich daher ideal für die Automobil- und 5G-Branchen.
E&R SiC Solution
Während SiC-Wafer hauptsächlich in Größen von 4 Zoll und 6 Zoll erhältlich sind, laufen Bemühungen, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer zu entwickeln, trotz Herausforderungen bei der Prozessausbeute. Tier-1-IDM-Hersteller wie ONSEMI, Infineon und Bosch kündigen Expansionen und Produktpläne für 2024-2025 an.
E&R arbeitet mit weltweit führenden Unternehmen und Zulieferern zusammen und bietet wichtige SiC-Integrationslösungen an:
Laser-Annealing: E&R setzt ultrakurzwellenlängige Laser mit ihrer selbst entwickelten beschleunigten Optik-Lösung (ACES) für präzises und gleichmäßiges Flaches-Annealing ein.
Wafer-ID-Markierung: Mit über 30 Jahren Laser-Expertise setzt E&R einen 355nm UV-Laser ein, der speziell für SiC entwickelt wurde und Präzisions- und Durchsatzanforderungen erfüllt. Er eignet sich für 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer sowohl auf der Vorder- als auch Rückseite.
Wafer-Zerteilung und -Rillen: E&R verwendet führende Pikosekunden- und Femtosekunden-Lasertechnologien für das Schneiden und Rillen und erreicht eine minimale Schneidbreite von 3um. In Kombination mit der mechanischen Bruchtechnologie erreichen ihre Maschinen eine Genauigkeit von ±1um und reduzieren erfolgreich das Wafer-Absplittern und -Rissen bei gleichzeitig minimaler Wärmeeinwirkungszone (HAZ) mit einer Rekastdicke von unter 2um.
Raman-Spektroskopie: In Zusammenarbeit mit weltweit führenden Wafer-Foundries führt E&R die Raman-Spektroskopie-Technologie ein. Durch Bestrahlung der Wafer mit Laserlicht auf ihrer Oberfläche oder im Inneren lösen sie Raman-Streuung aus, wodurch eine effektive Wellenformanalyse möglich ist, um grundlegende Informationen über Wafer wie interne Spannung, Gitterstruktur, Risse und Elementkonzentrationen zu erhalten. Diese Technologie ermöglicht es den Kunden, Prozessparameter umfassend zu bewerten und anzupassen, wodurch Verluste aufgrund verschiedener Defekte reduziert werden, was letztendlich die Prozessausbeute verbessert.
Plasmabehandlung: E&R bietet verschiedene Plasmabehandlungstechnologien wie LF, RF und Mikrowellensysteme an. Diese gewährleisten einen hochgradig gleichmäßigen Reinigungsprozess der Wafer vor dem Drahtbonden und Formen und führen zu einer hohen Oberflächenhydrophilie und einem Wasserkontaktwinkel von weniger als 10 Grad. Darüber hinaus schlägt E&R eine Plasmarentkohlenlösung vor, um Kohlenstoffschichten zu reduzieren und so den anschließenden Backside-Metallisierungsprozess zu verstärken.
E&R wird weiterhin mit Kunden zusammenarbeiten und Möglichkeiten erforschen, effizientere Fertigungsprozesse zu erreichen und so zur zukünftigen Entwicklung der Halbleiterindustrie beizutragen.
Vom 14.-17. November wird E&R auf der Semicon Europa in der Messe München ausstellen. Bitte besuchen Sie Stand Nr. B2378 für eine fruchtbare Diskussion mit E&R.
E&R-Website: https://en.enr.com.tw/
Medienkontakt: kevincy_chang@enr.com.tw