Samsung-Aktie steigt wegen Nvidia (NVDA) NAND-Chip-Partnerschaftsbericht

TLDR

• Samsung (SSNLF) und Nvidia (NVDA) entwickeln gemeinsam ferroelektrische NAND-Flash-Speicherchips der nächsten Generation.
• Die beiden Unternehmen haben zusammen mit dem Georgia Institute of Technology ein KI-Modell namens Physics-Informed Neural Operator (PINO) entwickelt.
• Das PINO-Modell kann die Leistung von ferroelektrischen NAND-Geräten über 10.000-mal schneller analysieren als herkömmliche Methoden.
• Standard-Chip-Simulationstools (TCAD) benötigen 60 Stunden pro Durchlauf – das neue KI-System verkürzt dies auf unter 10 Sekunden.
• Samsung gab letztes Jahr bekannt, dass ferroelektrischer NAND den Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichem NAND um 96 % senken kann.

(SeaPRwire) –   Samsung und Nvidia arbeiten gemeinsam an einem neuen Typ von Speicherchip, der die Art und Weise, wie KI-Hardware gebaut und betrieben wird, verändern könnte.

BREAKING $AMD @Samsung HBM @AMD CEO Dr. @LisaSu trifft Samsung, Naver wegen HBM-Lieferung

Lisa Su, CEO von AMD, einem Konkurrenten von Nvidia, besucht Berichten zufolge Südkorea, um Kooperationspläne mit Samsung Electronics, Naver und anderen Unternehmen zu besprechen.

Laut Tech… https://t.co/YVY8bZCe2L pic.twitter.com/f1UtI8GtkA

— Mike (@MikeLongTerm) March 11, 2026

Die beiden Unternehmen haben zusammen mit Forschern des Georgia Institute of Technology ein KI-Modell namens Physics-Informed Neural Operator, oder PINO, mitentwickelt. Ziel ist es, die Forschung an ferroelektrischen NAND-Flash-Speichern zu beschleunigen.

Ferroelektrischer NAND wird aus ferroelektrischen Materialien anstelle von herkömmlichem Silizium hergestellt. Diese Materialien können Daten speichern, ohne eine ständige Stromversorgung zu benötigen, was sie für energieeffiziente Chips attraktiv macht.

Samsung SDI Co., Ltd., 0L2T.L

Samsung ist seit geraumer Zeit führend in der Erforschung dieser Technologie. Letztes Jahr veröffentlichte das Unternehmen Ergebnisse in der Fachzeitschrift Nature, die zeigen, dass ferroelektrischer NAND den Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-NAND um 96 % senken kann.

Das ist eine Zahl, bei der man kurz innehalten sollte. Für KI-Workloads, die enorme Energie benötigen, wäre eine Reduzierung des Speicherstromverbrauchs um 96 % eine bedeutende Entwicklung.

Der Haken war bisher immer die Forschungsgeschwindigkeit. Die Simulation und Verbesserung von Chipleistungsmerkmalen – wie Schwellenspannung und Datenerhalt – erfordert ein Werkzeug namens Technology Computer-Aided Design, oder TCAD.

TCAD benötigt normalerweise etwa 60 Stunden pro Vorgang. Dieser Engpass verlangsamt die Geschwindigkeit, mit der Ingenieure Chipdesigns testen und verfeinern können.

Das vom gemeinsamen Team entwickelte PINO-Modell ändert das. Es kann dieselbe Analyse in weniger als 10 Sekunden durchführen.

Eine Partnerschaft, die Sinn ergibt

Nvidia ist der größte Speicherkunde von Samsung. Die beiden Unternehmen pflegen bereits eine tiefe Geschäftsbeziehung, was diese Forschungs- und Entwicklungskooperation zu einer natürlichen Erweiterung macht.

SK Hynix, der südkoreanische Rivale von Samsung, liefert derzeit den Großteil der High-Bandwidth Memory (HBM) Chips für Nvidia. Samsung arbeitet daran, diese Lücke zu schließen, und eine vertiefte Partnerschaft bei der Speichertechnologie der nächsten Generation passt in diese Strategie.

Micron Technology (MU) konkurriert ebenfalls in diesem Bereich und stellt HBM-Chips für den KI-Chipmarkt her.

Die Forschungsergebnisse des PINO-Projekts wurden öffentlich zugänglich gemacht. Die Arbeit bewegt sich nun in Richtung Kommerzialisierung, wobei erwartet wird, dass Samsung in der nächsten Phase der Entwicklung von ferroelektrischem NAND mit Nvidia zusammenarbeitet.

Was die Zahlen sagen

Die Finanzkennzahlen von Samsung bleiben solide. Das Unternehmen verzeichnete in den letzten zwölf Monaten einen Umsatz von 234,73 Milliarden US-Dollar bei einer operativen Marge von 13,07 %.

Das Verhältnis von Schulden zu Eigenkapital liegt bei nur 0,06, und die Current Ratio beträgt 2,33, was auf eine gut kapitalisierte Bilanz mit Spielraum für Investitionen in langfristige Forschung und Entwicklung hindeutet.

Das Kurs-Gewinn-Verhältnis (KGV) liegt bei 28,43, was historisch gesehen am oberen Ende liegt. RSI-Werte deuten darauf hin, dass die Aktie derzeit überkauft ist, was Händler im Auge behalten sollten.

Der Anteil institutioneller Anleger ist mit 2 % gering, und im vergangenen Jahr wurden keine Insiderhandelsaktivitäten gemeldet.

Weder Nvidia noch Samsung reagierten zum Zeitpunkt der Berichterstattung auf Medienanfragen für eine Stellungnahme.